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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~高純硅粉、石英坩堝、方舟、單晶硅多晶硅切片，太陽能電池板清洗
水質指標;15~18.25兆歐
主要工藝：二級反滲透+edi+拋光混床工藝
| 太陽能電池工業高純水設備 |
 |
| 應用領域和指標要求參考： |
用途 | 用水指標 | 參考標準 |
高純硅粉生產 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
單晶硅和多晶硅材料生產，切片、清洗用高純水 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 美國半導體工業用純水指標 |
太陽能電池片生產 | 電阻率18 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
藍寶石、光學玻璃清洗用水 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
石英坩堝，多晶硅方舟 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，美國半導體工業用純水指標 |
| 主要工藝流程和出水指標： |
※ 預處理+反滲透+離子交換器（電阻率≥15MΩ.CM） ※ 預處理+二級反滲透+EDI（電阻率≥15MΩ.CM） ※ 預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI +拋光混床（電阻率≥18.25MΩ.CM） |
| （詳細工藝需根據原水設計情況進行設計） |
| 純水設備的主要特點 ： |
▼結合電子工業用水連續生產的特性，采用了全膜法處理工藝（UF+RO+EDI）完成高純水的制備工作； ▼對于電子行業用水的特性，增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除； ▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高，水的儲存容易污染問題； ▼采用進口反滲透膜，脫鹽率高，使用壽命長，運行成本低廉，產水水質高而穩定； ▼在線水質監測控制，實時監測水質變化，保障水質放心； ▼全自動電控程序，還可選配觸摸屏操作，使用方便，操作簡單； ▼切合當地水質的個性化設計，設想周到的堆疊式設計，占地面積小，方位滿足需求。 ▼運行費用及維修成本低，全自動運行，實現無人化管理操作。 |
光伏行業-20t高純水設備
高純硅粉、石英坩堝、方舟、單晶硅多晶硅切片，太陽能電池板清洗
水質指標;15~18.25兆歐
主要工藝：二級反滲透+edi+拋光混床工藝
| 太陽能電池工業高純水設備 |
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| 應用領域和指標要求參考： |
用途 | 用水指標 | 參考標準 |
高純硅粉生產 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
單晶硅和多晶硅材料生產，切片、清洗用高純水 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 美國半導體工業用純水指標 |
太陽能電池片生產 | 電阻率18 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
藍寶石、光學玻璃清洗用水 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，GB11446-1-1997 |
石英坩堝，多晶硅方舟 | 電阻率15 ~18.25 MΩ.CM | 我國電子級水質技術指標，美國半導體工業用純水指標 |
| 主要工藝流程和出水指標： |
※ 預處理+反滲透+離子交換器（電阻率≥15MΩ.CM） ※ 預處理+二級反滲透+EDI（電阻率≥15MΩ.CM） ※ 預處理+二級反滲透+脫氣膜+EDI +拋光混床（電阻率≥18.25MΩ.CM） |
| （詳細工藝需根據原水設計情況進行設計） |
| 純水設備的主要特點 ： |
▼結合電子工業用水連續生產的特性，采用了全膜法處理工藝（UF+RO+EDI）完成高純水的制備工作； ▼對于電子行業用水的特性，增強了對水中二氧化硅、重金屬和有機碳的脫除； ▼采用了氮封水箱解決了電子工業用水要求較高，水的儲存容易污染問題； ▼采用進口反滲透膜，脫鹽率高，使用壽命長，運行成本低廉，產水水質高而穩定； ▼在線水質監測控制，實時監測水質變化，保障水質放心； ▼全自動電控程序，還可選配觸摸屏操作，使用方便，操作簡單； ▼切合當地水質的個性化設計，設想周到的堆疊式設計，占地面積小，方位滿足需求。 ▼運行費用及維修成本低，全自動運行，實現無人化管理操作。 |
蘇ICP備09039299號-1